半導體設備TXRF 3760理學Rigaku反射熒光X射線分析儀
半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線分析儀

采用轉子式高輸出X射線發生器和新設計的入射X射線單色儀。
使用直接TXRF測量方法實現了10 8　原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現相同的精度和高通量，測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。

采用1靶3光束方式

方法使用三種類型的光譜晶體來提取適合待測量元素的單色 X 射線束，并用它來激發污染物元素。 用于測量輕元素的W-Mα射線不會激發Si，因此可以分析Na、Mg和Al。從Na到U連續進行高精度自動分析。

通過消除衍射輻射，最大限度地減少散射輻射的影響

采用抑制高次反射的光學系統和 XY-θ 驅動臺，X 射線入射方向自動選擇功能消除了來自基板的衍射線，并可在散射線干擾最小的情況下實現高信噪比測量。 可以對整個晶圓表面進行精確且高精度的微量分析。

可將坐標與異物檢查坐標數據關聯

通過將異物檢查裝置的坐標數據導入TXRF裝置，可以分析存在顆粒的位置的污染元素。 滴水軌跡搜索功能采用的算法，需要快速、準確的坐標。

高速晶圓內污染篩查“Sweeping-TXRF功能"

可以使用Sweeping-TXRF方法，該方法使用直接TXRF方法在晶圓表面上進行高速測量，以揭示污染物元素的分布。 可以在短時間內對整個晶圓表面進行污染分析，而傳統的代表性坐標測量（例如表面內的 5 或 9 個點）無法檢測到這種情況。只需30分鐘即可完成200mm晶圓整個表面5×10 10 個原子/cm 2的污染檢測。除了污染元素的分布外，還可以通過對整個表面的測量值進行積分來計算晶片表面內的平均污染濃度。

邊緣排除 0mm 無損、非接觸式污染測量“ZEE-TXRF 功能"

我們實現了晶圓邊緣附近的高靈敏度測量，這是以前使用 TXRF 方法無法測量的。 現在可以使用 TXRF 對污染集中的邊緣區域進行污染分析。

兼容各種CIM/FA

可與上位機進行SECS通信，并兼容各種CIM/FA。 除了開放式盒式磁帶外，它還兼容 SMIF POD（可選）。