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        日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備
        簡要描述:

        日本ULVAC愛發科CC-200半導體化學氣相沉積設備
        日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備

        • 產品型號:CC-200
        • 廠商性質:代理商
        • 更新時間:2024-11-25
        • 訪  問  量:400

        詳細介紹

        日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備

        日本ULVAC愛發科半導體化學氣相沉積設備


        負載鎖定等離子體CVD設備CC-200

        負載鎖定等離子體CVD裝置CC-200體積小且易于使用,適用于從研發到生產的一切。


        特征

        • 27.12MHz高密度等離子工藝

        • SiH 4型:SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型:可提供 SiO 2薄膜

        • 可使用CF 4 +O 2等離子體清潔腔室

        • 與有機EL低溫成膜用加熱器兼容

        • 通過托盤傳輸支持各種尺寸的電路板

        • 真空箱允許在 C 系列單元之間進行間接連續處理(濺射:CS-200,蒸發:CV-200)。

        目的

        • 功率器件

        • LED、LD、高速器件等相關化合物

        • 有機EL開發

        • 太陽能電池開發

        • 微機電系統


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