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        日本ULVAC愛發科半導體間自然氧化蝕刻設備
        簡要描述:

        日本ULVAC愛發科RISETM-300半導體間自然氧化蝕刻設備
        日本ULVAC愛發科半導體間自然氧化蝕刻設備

        • 產品型號:RISETM-300
        • 廠商性質:經銷商
        • 更新時間:2024-11-25
        • 訪  問  量:78

        詳細介紹

        日本ULVAC愛發科半導體間自然氧化蝕刻設備

        日本ULVAC愛發科半導體間自然氧化蝕刻設備


        間歇式自然氧化膜去除設備 RISETM-300

        間歇式自然氧化膜去除設備RISE TM -300是一種間歇式預清洗設備,可以去除LSI深接觸底部等難處理的自然氧化膜。兼容300mm目標晶圓。


        特征

        • 實現高吞吐量和低 CoO

        • 良好的蝕刻均勻性(< ±5%/批次)和再現性

        • 干法

        • 無損壞(遠程等離子體和低溫工藝)

        • 與傳統濕法工藝相比,自對準接觸電阻降低至 1/2

        • 設備布局靈活

        • 強調可維護性

        • 50 300mm晶圓批量加工

        目的

        • 用于形成自對準觸點的預處理

        • 電容器形成過程中的預處理

        • 外延生長過程中的預處理

        規格

        模型RISETM-300
        等離子源微波電源
        設備配置EFEM + LL + PM
        板尺寸Φ300mm
        板臺陶瓷舟(50只/批)
        排氣系統機械增壓泵+DRP
        控制系統FAPC+TFT觸摸屏
        氣體導入系統3個系統
        應用SAC、電容器和外延生長過程中的預處理

















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